真空卡盘及晶圆键合设备制造技术

本技术提供了一种真空卡盘及一种晶圆键合设备。所述真空卡盘包括基座层及吸附层。所述基座层的底部设有抽气口，并连接射频端，用于向所述真空卡盘的吸附层上承载的多个晶粒提供激发等离子体的射频电场。所述吸附层设于所述基座层之上，并与所述基座层之间构成抽气腔。所述吸附层上设有均匀排布的多个吸附孔，用于在等离子体活化工艺的真空环境下，向所述多个晶粒提供低于所述真空环境的第一气压的第二气压，以向各所述晶粒提供相同大小的真空吸附力。通过在作为射频电极的卡盘上设置抽气口和均匀分布的吸附孔，本技术可以向真空环境下的多个晶粒提供相同的吸附力，以将该多个晶粒吸附至同一平面进行等离子体活化工艺，从而提升工艺质量。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体器件加工领域，尤其涉及一种真空卡盘，以及一种晶圆键合设备。

技术介绍

1、晶圆键合工艺用于将由晶圆切割得到的若干晶粒键合到一片晶圆上。在工艺的过程中，首先需要分别将金属框和晶圆粘贴到uv膜上以进行切割工艺。然而，切割工艺会导致uv膜和粘在上面的晶粒发生形变。因此，变形后的若干个晶粒进入工艺腔室内进行等离子体活化时会由于键合力的不足而产生中间与边缘的差异，进而影响了工艺质量。

2、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种改进的真空吸盘，用于向真空环境下的多个晶粒提供相同的吸附力，以将该多个晶粒吸附至同一平面进行等离子体活化工艺，从而提升工艺质量。

技术实现思路

1、以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之前序。

2、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种真空卡盘，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的真空卡盘，其特征在于，所述多个晶粒被贴附在UV薄膜上，其中，多个吸附孔构成的吸附孔阵列的第一直径不小于所述UV薄膜的第二直径，所述抽气腔的第三直径大于所述吸附孔阵列的第一直径，以向所述UV薄膜中心区域的第一晶粒和所述UV薄膜的边缘区域的第二晶粒提供相同大小的真空吸附力。

3.如权利要求2所述的真空卡盘，其特征在于，所述多个吸附孔具有相同的口径，且每一所述晶粒对应相同数量的吸附孔，向各所述晶粒提供相同大小的真空吸附力。

4.如权利要求3所述的真空卡盘，其特征在于，所述真空卡盘包括多个可拆卸的吸附...

【技术特征摘要】

1.一种真空卡盘，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的真空卡盘，其特征在于，所述多个晶粒被贴附在uv薄膜上，其中，多个吸附孔构成的吸附孔阵列的第一直径不小于所述uv薄膜的第二直径，所述抽气腔的第三直径大于所述吸附孔阵列的第一直径，以向所述uv薄膜中心区域的第一晶粒和所述uv薄膜的边缘区域的第二晶粒提供相同大小的真空吸附力。

3.如权利要求2所述的真空卡盘，其特征在于，所述多个吸附孔具有相同的口径，且每一所述晶粒对应相同数量的吸附孔，向各所述晶粒提供相同大小的真空吸附力。

4.如权利要求3所述的真空卡盘，其特征在于，所述真空卡盘包括多个可拆卸的吸附层，其中，所述多个可拆卸的吸附层具有不同的吸附孔排布方式、吸附孔口径和/或吸附孔密度，并择一安装到所述基座层之上，以调节各所述晶粒受到的真空...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴佳卉，范豪凯，
申请(专利权)人：拓荆键科海宁半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：