温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明的半导体的溅射方法,包括:采用紫外光照射紫外减粘膜以使所述紫外减粘膜的粘度降低至第一值;将半导体的一表面粘接在紫外减粘膜上,并采用紫外光进一步降低所述紫外减粘膜的粘度至第二值;对粘接有所述紫外减粘膜的所述半导体进行溅射处理;以及溅射后...该专利属于东莞新科技术研究开发有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过东莞新科技术研究开发有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明的半导体的溅射方法,包括:采用紫外光照射紫外减粘膜以使所述紫外减粘膜的粘度降低至第一值;将半导体的一表面粘接在紫外减粘膜上,并采用紫外光进一步降低所述紫外减粘膜的粘度至第二值;对粘接有所述紫外减粘膜的所述半导体进行溅射处理;以及溅射后...