半导体的溅射方法技术

本发明专利技术的半导体的溅射方法，包括：采用紫外光照射紫外减粘膜以使所述紫外减粘膜的粘度降低至第一值；将半导体的一表面粘接在紫外减粘膜上，并采用紫外光进一步降低所述紫外减粘膜的粘度至第二值；对粘接有所述紫外减粘膜的所述半导体进行溅射处理；以及溅射后，采用紫外线照射所述紫外减粘膜以分离所述半导体和所述紫外减粘膜。本发明专利技术在溅射过程中，半导体由紫外减粘膜承载半导体，取代传统夹具承载，从而保证半导体在溅射过程中不会产生残渣或气体污染，进而保证半导体的良品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体加工领域，尤其涉及一种半导体的溅射方法。

技术介绍

1、半导体离子刻蚀/溅射制造过程中，半导体多放在夹具中，连同夹具一起进行加工。常见的夹具将元器件进行多面夹持，因此夹具对半导体元器件的影响较大，由于夹具的阻挡，半导体侧边往往无法进行正常的刻蚀或溅镀。而且夹具本身在刻蚀或溅镀过程中，也会造成残渣的脱落。残渣在真空腔室内会造成气体的污染，如果掉落在产品上，会形成岛状的凸起，形成坏品。

2、因此，亟待提供一种半导体的溅射方法以克服以上缺陷。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种改进的半导体的溅射方法，在溅射过程中，半导体由紫外减粘膜承载半导体，取代传统夹具承载，从而保证半导体在溅射过程中不会产生残渣或气体污染，进而保证半导体的良品率。

2、为实现上述目的，半导体的溅射方法，包括以下步骤：

3、采用紫外光照射紫外减粘膜以使所述紫外减粘膜的粘度降低至第一值；

4、将半导体的一表面粘接在紫外减粘膜上，并采用紫外光进一步降低所述紫外减粘膜的粘度本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体的溅射方法，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的半导体的溅射方法，其特征在于：所述第一值为15-16(N/in)，所述第二值为10-11(N/in)。

3.如权利要求1所述的半导体的溅射方法，其特征在于：将半导体的一表面粘接在紫外减粘膜上后，挤出所述紫外减粘膜和所述半导体之间的气泡。

4.如权利要求1所述的半导体的溅射方法，其特征在于：采用紫外光照射紫外减粘膜以使所述紫外减粘膜的粘度降低至第一值中的紫外光照射为第一时长，采用紫外光进一步降低所述紫外减粘膜的粘度至第二值中的紫外光照射为第二时长，所述第二时长大于所述第一时长。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体的溅射方法，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的半导体的溅射方法，其特征在于：所述第一值为15-16(n/in)，所述第二值为10-11(n/in)。

3.如权利要求1所述的半导体的溅射方法，其特征在于：将半导体的一表面粘接在紫外减粘膜上后，挤出所述紫外减粘膜和所述半导体之间的气泡。

4.如权利要求1所述的半导体的溅射方法，其特征在于：采用紫外光照射紫外减粘膜以使所述紫外减粘膜的粘度降低至第一值中的紫外光照射为第一时长，采用紫外光进一步降低所述紫外减粘膜的粘度至第二值中的紫外光照射为第二时长，所述第二时...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙命潮，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：