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本发明揭示一种半导体装置，适用于先进内连线的超低介电常数介电膜层结构，其包括：具有不同折射率的一上层ＥＬＫ介电层及一下层ＥＬＫ介电层。上层ＥＬＫ介电层的折射率大于下层ＥＬＫ介电层的折射率。本发明提供一种应用于先进内连线的内层金属介电层的超低...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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