温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明的实施例提供了一种双端口静态随机存取存储器(SRAM)电路，包括Vdd节点和具有相同结构的第一SRAM单元和第二SRAM单元的双端口静态随机存取存储器(SRAM)单元对。第一SRAM单元是十晶体管SRAM单元，包括第一上拉晶体管和第二...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。