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提供了一种半导体器件及制造半导体器件的方法。所述半导体器件可以包括位于衬底上的位线、位于位线上并且在垂直于位线的方向上延伸的沟道图案、与位线相交并且与沟道图案间隔开的字线、位于沟道图案与字线之间的栅极绝缘图案、位于字线上的绝缘图案，以及连接...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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