半导体器件及制造半导体器件的方法技术

提供了一种半导体器件及制造半导体器件的方法。所述半导体器件可以包括位于衬底上的位线、位于位线上并且在垂直于位线的方向上延伸的沟道图案、与位线相交并且与沟道图案间隔开的字线、位于沟道图案与字线之间的栅极绝缘图案、位于字线上的绝缘图案，以及连接到沟道图案的着陆焊盘。栅极绝缘图案可以包括分别具有第一介电常数和第二介电常数的第一栅极绝缘图案和第二栅极绝缘图案。第二栅极绝缘图案可以位于第一栅极绝缘图案与字线之间。第一介电常数和第二介电常数可以不同。第一栅极绝缘图案的第一宽度可以不同于第二栅极绝缘图案的第二宽度。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种半导体器件和/或制造半导体器件的方法。

技术介绍

1、为了满足客户要求的优异性能和低廉价格，需要提高半导体存储器件的集成度。半导体存储器件需要更高的集成度，因为集成度是决定商品价格的重要因素。

2、二维或平面半导体存储器件会受到精细图案化技术水平的极大影响，因为它们的集成度可能主要是由单位存储单元所占据的面积决定的。然而，由于精细图案化需要超昂贵的设备，尽管二维半导体存储器件的集成度一直在提高，但是仍然受到限制。为此，已经提出了包括其中沟道在垂直方向上延伸的垂直沟道晶体管的半导体存储器件。

技术实现思路

1、本公开涉及具有提高的可靠性和/或生产率的半导体器件，和/或制造半导体器件的方法。

2、根据本专利技术构思的实施例，一种半导体器件可以包括：衬底；位线，所述位线位于所述衬底上；沟道图案，所述沟道图案位于所述位线上，并且在垂直于所述位线的上表面的垂直方向上延伸；字线，所述字线与所述位线相交并且与所述沟道图案间隔开；栅极绝缘图案，所述栅极绝缘图案位于所述沟道图案与所述字线之本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

11.一种半导体器件，包括：

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【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

11.一种半导体器...

【专利技术属性】
技术研发人员：严祥训，赵珉熙，李元锡，郑宇齐，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：