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示例性半导体处理方法可包括在基板上形成p型含硅材料，该基板包括界定一个或多个特征的第一n型含硅材料。该p型含硅材料可沿着该第一n型含硅材料中所界定的该一个或多个特征的至少一部分延伸。方法可包括移除该p型含硅材料的一部分。可从该一个或多个特征...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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