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本发明提供一种电吸收调制激光器及其制备方法，制备方法包括：在衬底上表面生长有源层，其中，有源层包括第一有源区、第二有源区、第三有源区，第一有源区、第二有源区、第三有源区分别位于第一调制器区、激光器区、第二调制器区内；在第一有源区、第三有源区...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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