【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光电子集成器件领域的，尤其涉及一种电吸收调制激光器及其制备方法。
技术介绍
1、随着5g网络和数据通信的快速发展，对光发射芯片的带宽需求越来越高，光芯片也由单颗向多功能集成方向发展。
2、在制作多功能集成光芯片的一些现有技术中，如选择区域外延生长技术、对接再生长技术等，存在工艺复杂、成本高昂、兼容性差等问题，而且可能因为衔接部位的质量欠佳，从而影响整个光芯片的性能和可靠性。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种电吸收调制激光器及其制备方法，以至少部分的解决上述问题。
2、本专利技术实施例的一个方面提供了一种电吸收调制激光器的制备方法，所述电吸收调制激光器包括依次贴合的第一调制器区、激光器区和第二调制器区，所述制备方法包括：在衬底上表面生长有源层，其中，所述有源层包括沿着与所述衬底表面平行的方向依次贴合的第一有源区、第二有源区、第三有源区，所述第一有源区、第二有源区、第三有源区分别位于所述第一调制器区、激光器区、第二调制器区内；在...
【技术保护点】
1.一种电吸收调制激光器的制备方法，其特征在于，所述电吸收调制激光器包括依次贴合的第一调制器区、激光器区和第二调制器区，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底上表面生长有源层包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述有源层的量子阱材料包括InGaAsP、InGaAlAs。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一有源区、第三有源区内注入离子后进行快速热退火包括：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二有源区上表面制备光栅包括：
6.根...
【技术特征摘要】
1.一种电吸收调制激光器的制备方法，其特征在于，所述电吸收调制激光器包括依次贴合的第一调制器区、激光器区和第二调制器区，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底上表面生长有源层包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述有源层的量子阱材料包括ingaasp、ingaalas。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一有源区、第三有源区内注入离子后进行快速热退火包括：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：周代兵，安欣，贺卫利，陆丹，梁松，赵玲娟，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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