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本发明公开了一种晶圆离子注入方法及注入系统,方法包括:S1、通过晶圆水平/竖直中心线将晶圆四等分,依次为第一至第四象限,预设各象限的注入百分比;S2、根据各象限的注入百分比,生成两种水平扫描波形,第一种水平扫描波形/第二种水平扫描波形用于扫...该专利属于北京烁科中科信电子装备有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京烁科中科信电子装备有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种晶圆离子注入方法及注入系统,方法包括:S1、通过晶圆水平/竖直中心线将晶圆四等分,依次为第一至第四象限,预设各象限的注入百分比;S2、根据各象限的注入百分比,生成两种水平扫描波形,第一种水平扫描波形/第二种水平扫描波形用于扫...