【技术实现步骤摘要】
本专利技术主要涉及离子注入，具体涉及一种晶圆离子注入方法及注入系统。
技术介绍
1、在产品芯片批量制造之前，必须先进行流片，流片的各项参数指标达到预期范围内，才能进行批量制造。而离子注入作为流片工序中的一种关键设备，离子注入剂量的多少，对于流片的电参数起着决定性作用。
2、当前的技术中，在一次流片中，大多数注入机仅能注入一种剂量，若要验证剂量的多少对于电参数的影响，需进行多次流片，从而增加了流片的时间和费用，延长了芯片的开发周期。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的技术问题，本专利技术提供一种可在同一片晶圆上注入四种不同剂量、操作简便、提高流片效率和成功率的晶圆离子注入方法及注入系统。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提出的技术方案为：
3、一种晶圆离子注入方法，包括步骤：
4、s1、通过晶圆水平中心线和竖直中心线将晶圆四等分，将晶圆左上方区域定义为第一象限，顺时针依次旋转90度，分别定义为第二象限、第三象限和第四象限，同时预设各象限的离
【技术保护点】
1.一种晶圆离子注入方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的晶圆离子注入方法，其特征在于，在步骤S2中，各水平扫描波形的各段扫描电压的斜率的确定过程为：
3.根据权利要求2所述的晶圆离子注入方法，其特征在于，步骤S22的具体过程为：
4.根据权利要求1或2或3所述的晶圆离子注入方法，其特征在于，步骤S3中，在离子注入的过程中，实时采集离子剂量；当离子剂量达到基准剂量，离子注入作业结束；否则重复注入。
5.一种晶圆离子注入系统，其特征在于，包括控制单元(1)、剂量控制器(2)、扫描电源(3)、扫描电极(4)、...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆离子注入方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的晶圆离子注入方法，其特征在于，在步骤s2中，各水平扫描波形的各段扫描电压的斜率的确定过程为：
3.根据权利要求2所述的晶圆离子注入方法，其特征在于，步骤s22的具体过程为：
4.根据权利要求1或2或3所述的晶圆离子注入方法，其特征在于，步骤s3中，在离子注入的过程中，实时采集离子剂量；当离子剂量达到基准剂量，离子注入作业结束；否则重复注入。
5.一种晶圆离子注入系统，其特征在于，包括控制单元(1)、剂量控制器(2)、扫描电源(3)、扫描电极(4)、移动法拉第(8)、运动组件和靶台(9)；
6.根据权利要求5所述的晶圆离子注入系统，其特征在于，所述运动组件包括运动驱动器(6)和直线电...
【专利技术属性】
技术研发人员：李莉，张雄豹，芦永佳，吴莹莹，陈辉，冯尚平，李进，尹聪，
申请(专利权)人：北京烁科中科信电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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