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本发明公开了一种HCI效应影响下的低温漂带隙基准源的自愈电路，涉及电学技术领域，包括曲率补偿电路、片上监测电路和多个模拟控制器电路，多个模拟控制器电路用于生成适当的体偏置电压并反馈给低温漂带隙基准源电路，对多个第一NMOS管进行电压补偿。本...
该专利属于重庆理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆理工大学授权不得商用。

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