一种HCI效应影响下的低温漂带隙基准源的自愈电路制造技术

本发明专利技术公开了一种HCI效应影响下的低温漂带隙基准源的自愈电路，涉及电学技术领域，包括曲率补偿电路、片上监测电路和多个模拟控制器电路，多个模拟控制器电路用于生成适当的体偏置电压并反馈给低温漂带隙基准源电路，对多个第一NMOS管进行电压补偿。本发明专利技术的片上监测电路复制了曲率补偿电路，能够精确地监测由HCI效应引起的NMOS管阈值电压的变化量。在本发明专利技术的自愈电路中，HCI效应导致的NMOS管阈值电压的增量将由片上监测电路监测，之后通过模拟控制器生成适当的体偏置电压直接反馈给需要补偿的NMOS管衬底，以此来降低HCI效应对NMOS管阈值电压的影响，从而降低HCI效应对低温漂带隙基准源电路性能参数的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电学，特别是涉及一种hci效应影响下的低温漂带隙基准源的自愈电路。

技术介绍

1、高能载流子，也称为热载流子，产生于mosfet漏端的大沟道电场，这个沟道电场会加速载流子，使其有效温度高于晶格的温度。这些热载流子通过声子发射的形式把能量传递给晶格，造成si/sio2界面处si-h键的断裂，热载流子也会注入到sio2中而被俘获。键的断裂和被俘获的载流子会产生氧化层陷阱电荷和界面态，影响沟道载流子的迁移率和有效沟道势能，这种现象就是热载流子注入效应，即hci效应。hci效应会影响期间的阈值电压、跨导和饱和漏电流等参数，使器件的特性产生劣化，导致电路波形畸变和功能失效。n沟和p沟mosfet都会受hci效应的影响，由于空穴的质量比电子的质量大，碰撞离化的几率较低，pmosfet的hci效应不明显，因此，hci效应的研究主要针对nmosfet。

2、在众多集成电路的设计过程中，带隙基准源的设计十分关键，其性能几乎决定了整个电路的性能。尤其近几年工艺的发展与晶体管集成度逐步提高，高精度soc对带隙基准源的温度稳定性提出了更高的要求。然而，h本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种HCI效应影响下的低温漂带隙基准源的自愈电路，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种HCI效应影响下的低温漂带隙基准源的自愈电路，其特征在于，每个所述模拟控制器电路均包括平方电路、运算放大器3和运算放大器4；多个所述第一NMOS管的漏极分别与多个模拟控制器电路的运算放大器3的负输入端和平方电路的正输入端连接，多个所述第二NMOS管的漏极分别与运算放大器3的正输入端和平方电路的负输入端连接；运算放大器3的输出端与运算放大器4的负输入端连接，平方电路的输出端与运算放大器4的负输入端连接。

3.如权利要求2所述的一种HCI效应影响下的低温漂带隙基准源的自...

【技术特征摘要】

1.一种hci效应影响下的低温漂带隙基准源的自愈电路，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种hci效应影响下的低温漂带隙基准源的自愈电路，其特征在于，每个所述模拟控制器电路均包括平方电路、运算放大器3和运算放大器4；多个所述第一nmos管的漏极分别与多个模拟控制器电路的运算放大器3的负输入端和平方电路的正输入端连接，多个所述第二nmos管的漏极分别与运算放大器3的正输入端和平方电路的负输入端连接；运算放大器3的输出端与运算放大器4的负输入端连接，平方电路的输出端与运算放大器4的负输入端连接。

3.如权利要求2所述的一种hci效应影响下的低温漂带隙基准源的自愈电路，其特征在于，所述平方电路包括偏置电路、差分电压发生器电路和基本共源差分对平方电路；

4.如权利要求1所述的一种hci效应影响下的低温漂带隙基准源的自愈电路，其特征在于，所述曲率补偿电路包括pmos管m6、pmos管m7、pmos管m8、pmos管m9、pmos管m10、pmos管m11、pmos管m12、pmos管m13、第一nmos管m14、第一nmos管m15、第一nmos管m16、第一nmos管m17、第一nmos管m18、第一nmos管m19、第一nmos管m20和第一nmos管m21；

5.如权利要求4所述的一种hci效应影响下的低温漂带隙基准源的自愈电路，其特征在于，所有的第一nmos管都采用hci等效电路模型替代，且宽长比都一样。

6.如权利要求5所述的一种hci效应影响下的低温漂带隙基准源的自愈电路，其特征在于，所述片上监测电路与曲率补偿电路结构相同，所有的第二nmos管都不采用hci等效电路模型，且所有的第二nmos管的衬底都接gnd端。

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【专利技术属性】
技术研发人员：张俊安，李超，张庆伟，丁朝远，李铁虎，
申请(专利权)人：重庆理工大学，
类型：发明
国别省市：