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本公开提供一种存储器结构及其制造方法，可应用于三维AND闪存元件。该存储器结构包括基底、堆叠结构、通道柱、多个电荷存储结构、第一导电柱、第二导电柱与隔离柱。堆叠结构位于基底上。堆叠结构包括交替堆叠的多个第一介电层与多个导电层。通道柱穿过堆叠...
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