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本发明公开了一种半导体激光器及其制备方法，该半导体激光器包括衬底；外延结构，位于所述衬底一侧；所述外延结构包括激光出射层；过渡层，位于所述激光出射层远离所述衬底的一侧；所述过渡层包括凹槽和反射结构，所述凹槽贯穿至少部分所述过渡层，所述反射结...
该专利属于材料科学姑苏实验室所有，仅供学习研究参考，未经过材料科学姑苏实验室授权不得商用。

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