一种半导体激光器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体激光器及其制备方法，该半导体激光器包括衬底；外延结构，位于所述衬底一侧；所述外延结构包括激光出射层；过渡层，位于所述激光出射层远离所述衬底的一侧；所述过渡层包括凹槽和反射结构，所述凹槽贯穿至少部分所述过渡层，所述反射结构设置于所述凹槽中；沿所述半导体激光器的外延结构生长方向，所述反射结构与部分所述激光出射层交叠；第一电极，位于所述过渡层远离所述衬底的一侧。采用上述技术手段，通过在凹槽中设置反射结构，如此周期交叠的反射结构能够增加光的反射，进而能够减少光学损耗，提高半导体器件的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体光电器件，尤其涉及一种半导体激光器及其制备方法。

技术介绍

1、gan基激光器具有方向性好、亮度高、颜色纯以及在大电流注入下保持高效率的特点，是一种高纯度和高亮度的光源，其光功率密度比发光二极管(light emitting diode，led)高4个数量级，在激光照明、激光显示、激光直写光刻、水下蓝光通信及高功率金属加工等领域有着不可替代的应用前景，近年来受到极大关注。

2、目前，光学损耗是导致激光器输出功率降低的关键因素之一，现阶段，主要通过调控限制层、波导层或者p型层等来降低光学损耗，但效果均不明显。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种半导体激光器及其制备方法，以减少光学损耗，提高半导体器件的光电转换效率。

2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种半导体激光器，包括：

3、衬底；

4、外延结构，位于所述衬底一侧；所述外延结构包括激光出射层；

5、过渡层，位于所述激光出射层远离所述衬底的一侧；所述过渡层包括凹槽和反射结构，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述凹槽包括多个子凹槽，所述反射结构包括多个子反射结构，所述子反射结构设置于所述子凹槽中；多个所述子凹槽均匀分布在所述过渡层中。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述子凹槽的开口宽度L满足：800nm≤L≤3000nm。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述凹槽的开口面积S1与所述过渡层的面积S2满足：40％≤S1/S2≤60％。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述过渡层包括第一过渡分部以及第二...

【技术特征摘要】

1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述凹槽包括多个子凹槽，所述反射结构包括多个子反射结构，所述子反射结构设置于所述子凹槽中；多个所述子凹槽均匀分布在所述过渡层中。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述子凹槽的开口宽度l满足：800nm≤l≤3000nm。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述凹槽的开口面积s1与所述过渡层的面积s2满足：40％≤s1/s2≤60％。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述过渡层包括第一过渡分部以及第二过渡分部；所述第二过渡分部位于所述第一过渡分部远离所述衬底的一侧，所述凹槽贯穿至少部分所述第二过渡分部；

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【专利技术属性】
技术研发人员：郭丽彬，周大勇，杨慧永，赵文超，
申请(专利权)人：材料科学姑苏实验室，
类型：发明
国别省市：