温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种柱状多晶硅结构的制备方法以及半导体结构。本发明通过在现有掩膜层的基础上增加第三掩膜层，并定义第三掩膜层的有效厚度和调整相邻膜层之间的刻蚀选择比，掩膜有效厚度的显著增加，可以很好的调节掩膜和待刻蚀多晶硅层薄膜之间的关系，很好解...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。