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提供了一种半导体器件。半导体器件包括衬底、衬底上的第一外延层、第一外延层上的第二外延层以及位于第一外延层或第二外延层中的至少一个中的光电二极管。光电二极管包括第一掺杂区和在第一掺杂区上方的第二掺杂区。本申请的实施例还提供了一种形成半导体器件...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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