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本申请实施例提供了一种斜孔刻蚀方法及半导体工艺设备，该斜孔刻蚀方法包括：第一刻蚀步骤，采用第一工艺气体对硅片进行以各向异性刻蚀为主的刻蚀，形成第一斜孔；第二刻蚀步骤，采用第二工艺气体对第一斜孔继续进行以各向异性刻蚀为主的刻蚀，形成第二斜孔；...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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