【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体工艺，尤其涉及一种斜孔刻蚀方法及半导体工艺设备。
技术介绍
1、在实施半导体工艺的过程中，有时需要进行斜孔刻蚀。例如，在实施互补金属氧化物半导体图像传感器(complementary metal oxide semiconductor(简称cmos)imagesensor，简称cis)封装工艺的过程中，需要进行斜孔刻蚀工艺。其中，斜孔侧壁的粗糙度直接决定了后续绝缘层涂布的光滑程度，斜孔侧壁粗糙会使凸出的区域难以涂布绝缘层，从而容易发生尖端放电，进而影响互补金属氧化物半导体图像传感器的性能。
2、在相关技术中，在实施斜孔刻蚀工艺的过程中，所使用的工艺气体一般是八氟环丁烷(c4f8)、六氟化硫(sf6)和氧气(o2)。但是当刻蚀的斜孔深宽比较大时，会出现斜孔侧壁形貌较粗糙的问题。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种斜孔刻蚀方法及半导体工艺设备，以改善斜孔侧壁的粗糙度。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种斜孔刻蚀方法。
3、本申请实施例...
【技术保护点】
1.一种斜孔刻蚀方法，用于在硅片上刻蚀斜孔，其特征在于，所述斜孔刻蚀方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，所述第一工艺气体和所述第二工艺气体均包括氟碳气体，所述第二工艺气体中的氟碳气体的氟碳比小于所述第一工艺气体中的氟碳气体的氟碳比。
3.根据权利要求2所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，所述第一工艺气体中的氟碳气体包括八氟环丁烷，所述第二工艺气体中的氟碳气体包括八氟环丁烷和全氟丁二烯。
4.根据权利要求3所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，所述第一工艺气体和所述第二工艺气体均还包括氧气和六氟化硫。
<...【技术特征摘要】
1.一种斜孔刻蚀方法，用于在硅片上刻蚀斜孔，其特征在于，所述斜孔刻蚀方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，所述第一工艺气体和所述第二工艺气体均包括氟碳气体，所述第二工艺气体中的氟碳气体的氟碳比小于所述第一工艺气体中的氟碳气体的氟碳比。
3.根据权利要求2所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，所述第一工艺气体中的氟碳气体包括八氟环丁烷，所述第二工艺气体中的氟碳气体包括八氟环丁烷和全氟丁二烯。
4.根据权利要求3所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，所述第一工艺气体和所述第二工艺气体均还包括氧气和六氟化硫。
5.根据权利要求4所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，所述第一工艺气体中的氧气的流量为400至500标准立方厘米每分钟，所述第一工艺气体中的六氟化硫的流量为500至700标准立方厘米每分钟，所述第一工艺气体中的八氟环丁烷的流量为600至900标准立方厘米每分钟。
6.根据权利要求4所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，所述第二工艺气体中的氧气的流量为400至500标准立方厘米每分钟，所述第二工艺...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈思同，种景，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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