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本发明提供了一种气体供应装置、化学气相沉积设备和方法，属于IVA族半导体材料技术领域。所述气体供应装置能够提供高压蒸汽源、低压蒸汽源、液体蒸汽源和载气，可以同时向化学气相沉积设备的生长腔室供应多种反应气体，适合外延生长多种IVA族半导体材料...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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