一种气体供应装置、化学气相沉积设备和方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种气体供应装置、化学气相沉积设备和方法，属于IVA族半导体材料技术领域。所述气体供应装置能够提供高压蒸汽源、低压蒸汽源、液体蒸汽源和载气，可以同时向化学气相沉积设备的生长腔室供应多种反应气体，适合外延生长多种IVA族半导体材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于iva族半导体材料，具体涉及一种气体供应装置、化学气相沉积设备和方法。

技术介绍

1、近年来，iva族半导体材料在si基光电子学领域得到广泛的重视。目前si基光互连的重要组件包括波导、调制器以及探测器都已经开发出性能良好甚至是成熟的产品，但是仍然面临si基红外探测器集成困难，以及si基光源问题无法有效解决的问题。与si同属ⅳa族的ge、α-sn(灰锡)的晶格结构都是金刚石结构。对于ge1-xsnx(0<x<1)和siyge1-x-ysnx(x>0，y>0，x+y<1)合金半导体材料，通过改变sn组分调控其能带结构，可以将截止波长拓展到短波红外和中红外波段，有助于研制si基集成的红外探测器，并且当sn的组分足够高时，ge1-xsnx可以转变为直接带隙半导体材料，因此有望作为si基光互连平台中的光源材料，具有非常重要的研究价值。ge1-xsnx和siyge1-x-ysnx合金半导体材料在通信、成像、夜视和生物传感等领域有着重要的应用前景。

2、目前而言iva族半导体材料的外延方法主要有化学气相沉积(che本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种气体供应装置，其特征在于，包括：第一通道(1)，所述第一通道(1)的入口与高压储气装置(2)的出口连接，第二通道(3)、第三通道(4)与所述第一通道(1)交叉设置并相互连接，第四通道(5)与所述第一通道(1)并联设置且与所述第二通道(3)交叉设置并相互连接，所述第四通道(5)的入口与低压储气装置(6)的出口连接，所述第二通道(3)的一端入口与起泡器(7)的出口连接，所述第三通道(4)上设置有出气口，第五通道(8)、第六通道(9)、第七通道(10)与所述第一通道(1)并联设置且与所述第二通道(3)和所述第三通道(4)交叉设置并相互连接，所述第五通道(8)的一端出口与第一真空泵(11...

【技术特征摘要】

1.一种气体供应装置，其特征在于，包括：第一通道(1)，所述第一通道(1)的入口与高压储气装置(2)的出口连接，第二通道(3)、第三通道(4)与所述第一通道(1)交叉设置并相互连接，第四通道(5)与所述第一通道(1)并联设置且与所述第二通道(3)交叉设置并相互连接，所述第四通道(5)的入口与低压储气装置(6)的出口连接，所述第二通道(3)的一端入口与起泡器(7)的出口连接，所述第三通道(4)上设置有出气口，第五通道(8)、第六通道(9)、第七通道(10)与所述第一通道(1)并联设置且与所述第二通道(3)和所述第三通道(4)交叉设置并相互连接，所述第五通道(8)的一端出口与第一真空泵(11)连接，所述第五通道(8)的另一端出口与第二真空泵(12)连接，所述第六通道(9)的入口与载气储气装置(13)的一端出口连接，所述载气储气装置(13)的另一端出口通过第八通道(19)与所述起泡器(7)的入口连接，所述高压储气装置(2)提供高压混合气源，所述高压混合气源为高压蒸汽源和第一载气的混合气，所述低压储气装置(6)提供低压混合气源，所述低压混合气源为低压蒸汽源与第二载气的混合气，所述起泡器(7)内设置有液体蒸汽源，所述载气储气装置(13)提供第三载气，所述高压混合气源、所述低压混合气源、所述液体蒸汽源和所述第三载气可各自独立且定量地输出。

2.根据权利要求1所述的气体供应装置，其特征在于，所述第一通道(1)和所述第二通道(3)的交叉点上设置有高真空阀门(14)，所述第一通道(1)上位于所述第二通道(3)和所述第三通道(4)之间的位置设置有第一流量计(15)，所述第一通道(1)上位于所述第二通道(3)和所述第一流量计(15)之间的位置设置有高真空阀门(14)，所述第一通道(1)上位于所述第一流量计(15)和所述第三通道(4)之间的位置设置有高真空阀门(14)，所述第二通道(3)上位于所述第四通道(5)和所述第五通道(8)之间的位置设置有高真空阀门(14)，所述第二通道(3)上位于所述第一通道(1)和所述第五通道(8)之间的位置设置有高真空阀门(14)，所述第二通道(3)上位于所述第一通道(1)和所述第六通道(9)之间的位置设置有高真空阀门(14)，所述第二通道(3)上位于所述第六通道(9)和所述第七通道(10)之间的位置设置有高真空阀门(14)，所述第二通道(3)上位于所述第七通道(10)和所述起泡器(7)之间的位置设置有高真空阀门(14)，所述第三通道(4)上位于所述第一通道(1)和所述第五通道(8)之间的位置设置有高真空阀门(14)，所述第三通道(4)上位于所述第一通道(1)和所述第六通道(9)之间的位置设置有高真空阀门(14)，所述第三通道(4)上位于所述第六通道(9)和所述第七通道(10)之间的位置设置有高真空阀门(14)，所述第四通道(5)上位于所述低压储气装置(6)和所述第二通道(3)之间的位置设置有第二流量计(16)，所述第四通道(5)上位于所述第二流量计(16)和所述第二通道(3)之间的位置设置有高真空阀门(14)，所述第五通道(8)上位于所述第二通道(3)和所述第三通道(4)之间的位置设置有高真空阀门(14)，所述第五通道(8)上位于所述第二通道(3)和所述第一真空泵(11)之间设置有高真空阀门(14)，所述第五通道(8)上位于所述第三通道(4)和所述第二真空泵(12)之间设置有高真空阀门(14)，所述第六通道(9)和所述第二通道(3)的交叉点...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛春来，谢长江，徐驰，丛慧，王钇心，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：