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本发明的基片处理方法包括准备基片的工序。基片具有：第一区域；和用于在该第一区域上提供开口的第二区域。基片处理方法还包括：使用从第一气体生成的第一等离子体，优先在第二区域的顶部上形成顶部沉积物的工序。基片处理方法还包括：在顶部沉积物的表面和界...
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