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本发明公开一种提升屏蔽栅VDMOS抗总剂量制备方法，属于功率半导体器件领域。在衬底的外延层上制作Trench槽；生长场氧SiO<subgt;2</subgt;介质，完成后淀积源多晶；进行源多晶的光刻和腐蚀和P阱的注入，形成耐压环...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。

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