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本发明实施例提供了一种用于调控薄膜稳定生成的射流参数范围的确定方法，包括：在实验过程中，利用2D‑PIV系统对薄膜生成装置的薄膜生成区进行流场测量，得到流场数据；根据多次实验获得的流场数据，确定导致薄膜直接断裂无法成形的射流参数上限和使薄膜...
该专利属于同济大学所有，仅供学习研究参考，未经过同济大学授权不得商用。

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