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本公开涉及一种半导体存储器装置。一种半导体存储器装置可以包括电极结构、多个沟道柱和至少一个栅极分隔层。电极结构包括交替地堆叠的绝缘中间层和栅极导电层。沟道柱被形成为穿过电极结构。栅极分隔层形成在沟道柱之间。栅极分隔层分隔栅极导电层中的最上面...
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