【技术实现步骤摘要】
各个实施方式总体可以涉及一种电子装置，更具体地，涉及一种半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法。
技术介绍
1、为了以低价格提供具有良好性能的半导体装置，可能需要提高半导体装置的集成度。特别地，因为半导体装置的集成度可能是确定价格的重要因素，所以可能会不断要求提高集成度。因此，生产了包括三维布置的存储器单元的三维半导体存储器装置。
技术实现思路
1、示例实施方式提供了具有稳定结构和高集成度的半导体存储器装置。
2、示例实施方式还提供了一种制造上述半导体存储器装置的方法。
3、在本公开的示例实施方式中，一种半导体存储器装置可以包括电极结构、多个沟道柱和至少一个栅极分隔层。电极结构可以包括交替地堆叠的绝缘中间层和栅极导电层。沟道柱可以被形成为穿过电极结构。栅极分隔层可以形成在沟道柱之间。栅极分隔层可以被配置为分隔栅极导电层中的最上面的栅极导电层。在平面图中，沟道柱中的与栅极分隔层相邻的每个沟道柱可以具有凸月(gibbous moon)形状。半导体存储器装置还可以...
【技术保护点】
1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括狭缝结构，所述狭缝结构布置在所述栅极分隔层的两侧，并且被形成为穿过所述电极结构。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，在平面图中，与所述栅极分隔层相邻的至少一个所述沟道柱包括简单的闭合曲线形状，所述闭合曲线形状包括所述第一曲率和所述第二曲率。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第二曲率面对所述栅极分隔层的侧壁。
5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第二距离比所
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括狭缝结构，所述狭缝结构布置在所述栅极分隔层的两侧，并且被形成为穿过所述电极结构。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，在平面图中，与所述栅极分隔层相邻的至少一个所述沟道柱包括简单的闭合曲线形状，所述闭合曲线形状包括所述第一曲率和所述第二曲率。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第二曲率面对所述栅极分隔层的侧壁。
5.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑盛旭，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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