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本发明公开了一种电阻式随机存取存储器结构及其制作方法。在该制作方法中，首先，形成下电极，接着，在下电极上，形成电阻层，然后，在电阻层上，形成上电极，其中上电极选自下列群组：氧化铟锡以及氧化铟锌，最后，以紫外线照射上电极。...
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