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提供了一种通过等离子体在基板上的期望位置进行局部成膜的技术。等离子体成膜装置具备：腔室、在腔室中支撑基板的基板支撑部、向基板支撑部上的区域供给等离子体化的第一气体的第一喷嘴、向腔室内供给与第一气体反应的第二气体的第二喷嘴和使第二喷嘴相对于基...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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