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本发明涉及一种发光二极管芯片及其检测方法、芯片检测及转移装置。所述发光二极管芯片包括：外延结构、第一电极以及第二电极。外延结构包括：沿第一方向层叠的第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层。第一电极设置于第一型半导体层背离多量子阱层的一侧...
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