【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示，尤其涉及一种发光二极管芯片及其检测方法、芯片检测及转移装置。
技术介绍
1、微型发光二极管(micro-led)芯片的巨量转移以及检测修复工艺是制约其量产化的最大问题点。
2、然而，在micro-led芯片的制备工艺流程中，由于芯片的数量庞大，因此芯片的检测及修复的难度非常大，且检测及修复的效率较低。
3、因此，如何提高芯片的检测及修复效率，进而提高芯片的巨量转移效率，是亟需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光二极管芯片及其检测方法、芯片检测及转移装置，旨在解决如何提高芯片的检测及修复效率，进而提高芯片的巨量转移效率及良率。
2、本申请实施例提供一种发光二极管芯片，包括：外延结构、第一电极以及第二电极。外延结构包括：沿第一方向层叠的第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层。第一电极设置于第一型半导体层背离多量子阱层的一侧，且沿第二方向伸出于外延结构两侧；第二方向与第一方向正交。第二电极...
【技术保护点】
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，还包括：
3.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述包覆结构的宽度沿所述第二方向呈线性变化；所述包覆结构的宽度为所述包覆结构在所述第一方向上的尺寸。
4.一种芯片检测及转移装置，其特征在于，包括：
5.如权利要求4所述的芯片检测及转移装置，其特征在于，还包括：
6.一种发光二极管芯片的检测方法，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的发光二极管芯片的检测方法，其特征在于，还包括：
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