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本发明揭露于半间距为３０纳米节点以下的先进光刻工艺，电荷捕捉与非门非挥发存储器具有放置足够地接近的邻近存储单元，其邻近的通过栅极产生的边缘电场对临界电压干扰。举例而言，电荷储存结构的等效氧化层厚度其至少为该电荷储存结构一完整间距的三分之一。...
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