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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，属于半导体领域。该半导体器件包括P型衬底，接地，所述P型衬底形成有待保护器件，所述待保护器件包括形成于所述P型衬底的P阱和N阱，以及形成于所述P阱和/或N阱的栅氧化层，所述栅氧化层的表面形成有栅极，所...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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