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本发明涉及一种晶圆再生方法，该方法包括以下步骤：提供一表面设置有至少一介电膜层的晶圆；对所述晶圆进行干法刻蚀移除晶圆表面的介电膜层，移除介电膜层时通过控制刻蚀参数过刻蚀预定厚度；对干法刻蚀后的晶圆进行抛光；对抛光后的晶圆进行清洗，获得再生晶...
该专利属于物元半导体技术（青岛）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过物元半导体技术（青岛）有限公司授权不得商用。

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