一种晶圆再生方法技术

本发明专利技术涉及一种晶圆再生方法，该方法包括以下步骤：提供一表面设置有至少一介电膜层的晶圆；对所述晶圆进行干法刻蚀移除晶圆表面的介电膜层，移除介电膜层时通过控制刻蚀参数过刻蚀预定厚度；对干法刻蚀后的晶圆进行抛光；对抛光后的晶圆进行清洗，获得再生晶圆。本发明专利技术通过干法刻蚀与抛光配合移除晶圆表面的介电膜层，既可以保证晶圆表面的介电膜层完全被去除，也能够有效减少晶圆在刻蚀过程中的损伤，提高了再生晶圆的质量和成品率，同时，使用干法刻蚀代替传统的化学腐蚀，有利于减少化学试剂的使用和废液的产生，降低了晶圆再生的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造，尤其涉及一种晶圆再生方法。

技术介绍

1、在半导体晶圆制造过程中，硅片表面的平整度对芯片的性能质量具有决定性影响。为了保证产品质量，晶圆生产过程中必须对制造设备进行持续的性能监测和稳定性维护。由于这些监测和维护过程是破坏性的，直接使用成品晶圆进行测试成本较高，因此厂商普遍采用成本较低的无图形硅片，即控片和挡片，来进行测试。

2、晶圆制程中对控片挡片进行回收加工，是材料成本管理的重要一环。传统的针对控片挡片的晶圆再生工艺通常包括化学腐蚀、机械研磨和清洗等步骤。化学腐蚀即使用化学溶液将硅片表面的膜层腐蚀掉，针对不同的膜层需要使用不同的化学试剂进行腐蚀。在利用化学腐蚀去除表面的膜层之后，还需对硅片进行机械研磨使硅面表面平整化。

3、然而，传统的晶圆再生工艺虽然能使控片挡片重新达到使用要求，但其制程繁复，其中的化学除膜需要使用多种化学品，不仅容易对晶圆造成损伤导致晶圆再生回收的利用率降低，废水废液的处理也会对环境造成潜在影响；并且，化学腐蚀后的机械研磨同样容易造成晶圆损伤与破片，导致晶圆再生回收的利用率进一步降低。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆再生方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的晶圆再生方法，其特征在于，所述预定厚度为晶圆表面介电膜层厚度的0％-20％。

3.根据权利要求1所述的晶圆再生方法，其特征在于，所述介电膜层为氧化硅。

4.根据权利要求3所述的晶圆再生方法，其特征在于，对所述晶圆进行干法刻蚀使用的刻蚀气体包括四氟化碳和三氟甲烷。

5.根据权利要求1所述的晶圆再生方法，其特征在于，所述介电膜层为氮化硅和/或氮掺杂碳化硅。

6.根据权利要求5所述的晶圆再生方法，其特征在于，对所述晶圆进行干法刻蚀时使用的刻蚀气体包括八氟环丁烷。...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆再生方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的晶圆再生方法，其特征在于，所述预定厚度为晶圆表面介电膜层厚度的0％-20％。

3.根据权利要求1所述的晶圆再生方法，其特征在于，所述介电膜层为氧化硅。

4.根据权利要求3所述的晶圆再生方法，其特征在于，对所述晶圆进行干法刻蚀使用的刻蚀气体包括四氟化碳和三氟甲烷。

5.根据权利要求1所述的晶圆再生方法，其特征在于，所述介电膜层为氮化硅和/或氮掺杂碳化硅。

6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯钧贺，张丁香，张玉瑞，
申请(专利权)人：物元半导体技术青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：