温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法，本公开形成方法包括：提供衬底；在衬底的表面依次形成待蚀刻膜层、第一掩膜层和第二掩膜层，第二掩膜层包括多个第一图案；沿第一图案对第一掩膜层进行蚀刻，以在待蚀刻膜层上形成多个掩膜结构；...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。