半导体结构及其形成方法技术

本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法，本公开形成方法包括：提供衬底；在衬底的表面依次形成待蚀刻膜层、第一掩膜层和第二掩膜层，第二掩膜层包括多个第一图案；沿第一图案对第一掩膜层进行蚀刻，以在待蚀刻膜层上形成多个掩膜结构；在掩膜结构的侧壁形成隔离层；在各掩膜结构之间形成第三掩膜层；去除隔离层，以形成第二图案；以第三掩膜层和第一掩膜层为掩膜，将第二图案转移至待蚀刻膜层中，以形成目标图案；其中，待蚀刻膜层相对于第一掩膜层具有第一蚀刻选择比，待蚀刻膜层相对于第三掩膜层具有第二蚀刻选择比，第一蚀刻选择比不小于第二蚀刻选择比。本公开的形成方法可减少缺陷，提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

1、在半导体制程过程中，通常需要对薄膜进行图案化，进而形成半导体器件需要的图形。在此过程中，为了完成图形转移需要在衬底表面形成掩膜层，然而受制程工艺及衬底表面不同区域的图形的稀疏程度的限制，掩膜层的表面易出现高低差异，以其作为掩膜进行蚀刻的过程中易损伤衬底表面部分区域，产品良率较低。

2、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开提供一种半导体结构及其形成方法，可减少缺陷，提高产品良率。

2、根据本公开的一个方面，提供一种半导体结构的形成方法，包括：

3、提供衬底；

4、在所述衬底的表面依次形成待蚀刻膜层、第一掩膜层和第二掩膜层，所述第二掩膜层包括多个第一图案；

5、沿所述第一图案对所述第一掩膜层进行蚀刻，以在所述待蚀刻膜层上形成多个间隔分布的掩膜结构；本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层包括依次堆叠分布于所述第一掩膜层的表面的第一子膜层、第二子膜层及第三子膜层，各所述第一图案均位于所述第三子膜层内；

3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述隔离层包括：

4.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，在形成所述隔离层之后，所述形成方法还包括：

5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料为氧化钛，所述第一子膜层的材料为非晶硅，所述第二子膜层的材料为氮氧化硅。p>

6.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层包括依次堆叠分布于所述第一掩膜层的表面的第一子膜层、第二子膜层及第三子膜层，各所述第一图案均位于所述第三子膜层内；

3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述隔离层包括：

4.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，在形成所述隔离层之后，所述形成方法还包括：

5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料为氧化钛，所述第一子膜层的材料为非晶硅，所述第二子膜层的材料为氮氧化硅。

6.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述第三掩膜层的材料与所述第一掩膜层的材料相同。

7.根据权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材料为氧化硅、光刻胶、旋涂有机碳或旋涂硅玻璃中至少一种，所述第三掩膜层和所述第一掩膜层的材料均为氧化锆。

8.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的厚度为20nm～40nm；所述第三掩膜层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘忠明，褚杰，辛铁军，苏义旭，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：