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一种半导体器件可以包括：衬底，其包括单元区和外围电路区；位于衬底的单元区中的第一栅极结构，第一栅极结构在平行于衬底的上表面的第一方向上延伸；位线结构，其位于衬底的单元区上，位线结构在垂直于第一方向且平行于衬底的上表面的第二方向上延伸；第二栅...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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