【技术实现步骤摘要】
各种示例实施例涉及dram(dynamic random-access memory，动态随机存取存储器)半导体器件。
技术介绍
1、在dram器件中，存储单元可以被形成在单元区中，并且构成外围电路的晶体管和布线可以被形成在外围电路区中。通过减少其中形成了存储单元和外围电路的衬底的表面上的陷阱位点(trap site)，dram器件可以具有优异的特性。
技术实现思路
1、各种示例实施例提供了一种具有改善的电特性的半导体器件。
2、根据一些示例实施例，提供了一种半导体器件。所述半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括单元区和外围电路区；第一栅极结构，所述第一栅极结构位于所述衬底的所述单元区中，所述第一栅极结构在平行于所述衬底的上表面的第一方向上延伸；位线结构，所述位线结构位于所述衬底的所述单元区上，所述位线结构在垂直于所述第一方向且平行于所述衬底的所述上表面的第二方向上延伸；第二栅极结构，所述第二栅极结构位于所述衬底的所述外围电路区上；接触插塞结构，所述接触插塞结构位于所述位线结构...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述氢扩散绝缘图案包括氢扩散率高于氮化硅的氢扩散率的材料。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述氢扩散绝缘图案包括SiCN、SiBN或SiO2中的至少一者。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一上绝缘图案和所述第二上绝缘图案包括氮化硅。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件，...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述氢扩散绝缘图案包括氢扩散率高于氮化硅的氢扩散率的材料。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述氢扩散绝缘图案包括sicn、sibn或sio2中的至少一者。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一上绝缘图案和所述第二上绝缘图案包括氮化硅。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述蚀刻停止层包括相对于氧化硅具有蚀刻选择性并且氢扩散率高于氮化硅的氢扩散率的材料。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述蚀刻停止层包括sicn或sibn中的至少一者。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述位线结构包括导电图案和覆盖图案，并且间隔物结构还位于所述位线结构的侧壁上。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第二上绝缘图案的底部低于所述位线结构的最上面的表面，并且所述第二上绝缘图案的下部部分接触所述覆盖图案和所述间隔物结构。
11.一种半导体器件，所述半导...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。