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本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制造方法，制造方法包括：提供基底，基底中具有多个相互间隔的有源区，以及位于相邻有源区之间的隔离结构；对基底进行第一图形化处理，以形成第一接触孔，第一接触孔至少露出部分有源区；在第一接触孔...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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