【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、随着半导体结构的不断发展，其关键尺寸不断减小，但由于光刻机的限制，其关键尺寸的缩小存在极限，因此如何在一片晶圆上做出更高存储密度的芯片，是众多科研工作者和半导体从业人员的研究方向。
2、然而，随着半导体结构中存储单元的集成密度的进一步提高，存储单元中电容与晶体管之间的电连接性能降低，例如，存在电容与晶体管接触不良的现象。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法，至少有利于提高电容接触层与有源区之间的电连接性能。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底，所述基底中具有多个相互间隔的有源区，以及位于相邻所述有源区之间的隔离结构；对所述基底进行第一图形化处理，以形成第一接触孔，所述第一接触孔至少露出部分所述有源区；在所述第一接触孔中形成第一电容接触层；在所述第一电容接触层和所述基底上形成介质层；至少对所述介质层进行第二图形化处...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述对所述基底进行第一图形化处理，以形成第一接触孔，包括：
3.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，沿垂直于所述基底表面的方向上，所述第一接触孔的深度为20nm～30nm。
4.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第一接触孔之前，还包括：
5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述形成第一牺牲层包括：
6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第二牺牲层在所述第一方向上的宽度为9
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述对所述基底进行第一图形化处理，以形成第一接触孔，包括：
3.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，沿垂直于所述基底表面的方向上，所述第一接触孔的深度为20nm～30nm。
4.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第一接触孔之前，还包括：
5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述形成第一牺牲层包括：
6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第二牺牲层在所述第一方向上的宽度为9nm～11nm。
7.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第二接触孔在所述基底上的正投影位于所述开口在所述基底上的正投影中。
8.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述形成第一电容接触层，包括：
9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述第一牺牲层的材料和所述第二牺牲层的材料不同，所述第二牺牲层的材料与所述第一电容接触膜的材料相同；去除部分所述第一牺牲层，去除所述第二牺牲层，以及去除部分所述第一电容接触膜，包括：
10.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述第一牺牲层的材料和所述第二牺牲层的材料相同，所述第二牺牲层的材料与所述第一电容接触膜的材料不同；去除部分所述第一牺牲层，去除所述第二牺牲层，以及去除部分所述第一电容接触膜，包括：
11.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述形成第一电容接触层，包括：
12.如权利要求8或11所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第一电容接触层之后，在形成所述第二接触孔之前，还包括：
13.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述第二介质层还位于所述位线的顶面，所述形成第二接触孔，包括：
14.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述对所述基底进行第一图形化处理，包括：
15.如权利要求1或2所述的制造方法，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹新满，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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