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本申请提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，衬底包括N型区域和P型区域，分别设置在N型区域和P型区域的第一纳米片和第二纳米片。在第一纳米片和第二纳米片的表面设置第一缓冲层，在第一纳米片或第二纳米片中的其中一个设置环绕其的第一...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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