一种半导体器件及其制造方法技术

本申请提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，衬底包括N型区域和P型区域，分别设置在N型区域和P型区域的第一纳米片和第二纳米片。在第一纳米片和第二纳米片的表面设置第一缓冲层，在第一纳米片或第二纳米片中的其中一个设置环绕其的第一介质层以及第二介质层，在第二介质层的表面以及第一缓冲层的表面设置第二缓冲层。第一介质层和第二介质层极化产生方向相反的电场，利用第一缓冲层以及第二缓冲层对电场进行调控，利用方向相反的电场调控半导体器件的阈值。利用第一缓冲层、第一介质层、第二介质层和第二缓冲层的叠层结构辅助半导体器件进行阈值控制更为精确，实现阈值的精细、多级控制及大范围调控，从而提高器件性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。

技术介绍

1、随着半导体技术的发展，集成电路的特征尺寸持续微缩，传统三栅或双栅的鳍式场效应晶体管(fin field-effect transistor，finfet)在3纳米(nm)以下节点受到限制，由于纳米片环栅晶体管(nanosheet-gate all round fin field-effect transistor，nanosheet-gaafet)突破了3nm节点的限制，因此受到广泛关注和研究。

2、nanosheet-gaafet是一种具有环栅结构和水平纳米片(nanosheet，ns)作为导电沟道的新型器件。在栅极控制方面，环栅结构具有比finfet器件结构更好的栅控能力，可以有效抑制器件的短沟道效应，在电流驱动方面，nanosheet-gaafet具有“体反型”的反型载流子，而且有效栅宽的增加和垂直方向的纳米片堆叠设计也可显著增强器件的电流驱动性能。当前nanosheet-gaafet可以形成不同类型的器件，例如可以形成n型金属-氧化物-半导体(n-metal-本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一类型高k介质层的材料包括稀土氧化物，所述第二类型高k介质层的材料的离子式为MOx，所述M满足预设条件。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一类型高k介质层的材料包括LaOx、MgOx、ScOx、YOx、NdOx、TbOx和DyOx中的一种或多种；

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第三类型高k介质层的材料和所述第一类型高k介质层的材料以及所述第二类型高k介质层的材料不同，所述第三类型高k介质层的材料至少包括...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一类型高k介质层的材料包括稀土氧化物，所述第二类型高k介质层的材料的离子式为mox，所述m满足预设条件。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一类型高k介质层的材料包括laox、mgox、scox、yox、ndox、tbox和dyox中的一种或多种；

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第三类型高k介质层的材料和所述第一类型高k介质层的材料以及所述第二类型高k介质层的材料不同，所述第三类型高k介质层的材料至少包括铪元素。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第三类型高k介质层的材料包括hfo2、hfsiox、hfon、hfsion、hf...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚佳欣，魏延钊，王宇，张青竹，殷华湘，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：