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一种半导体装置，包括设置在一基底上方的通道部件的一垂直堆叠、包围通道部件的垂直堆叠的每个通道部件的一栅极结构、电性耦接至通道部件的垂直堆叠的一源极/漏极特征部件、形成于源极/漏极特征部件的多于一侧上的一硅化物层以及通过硅化物层电性耦接至源极...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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