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公开了一种带导电层的竖直型半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；依次设置在衬底上的第一金属性层、第一源/漏层、沟道层、第二源/漏层和第二金属性层；以及绕沟道层的至少部分外周形成的栅堆叠，其中，第...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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