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提供了使用远程等离子体沉积渐变或多层的碳化硅膜的方法和装置。可以在反应室中在工艺条件下形成渐变或多层的碳化硅膜，所述工艺条件在衬底上提供一种或多种有机硅前体。从远程等离子体源向反应室提供处于实质上低能态的源气体的自由基，例如处于基态的氢自由...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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