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一种垂直非易失性存储器件，包括：存储单元区域，所述存储单元区域包括在垂直方向上彼此交叠的多条栅极线以及使多条栅极线在垂直方向上彼此绝缘的绝缘层；延伸区域，延伸区域位于存储单元区域的一侧，延伸区域包括具有多个凸起焊盘的第一多个阶梯连接部，每一...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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