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本发明公开了一种栅下具有横向扩散埋层的ＬＤＭＯＳ器件，包括半导体本体以及半导体本体上的栅，所述半导体本体于栅的下方设有第一导电型掺杂沟道区，所述第一导电型掺杂沟道区的下方设有第一导电型横向扩散埋层。本发明在有效抑制ＬＤＭＯＳ器件中短沟道效应...该专利属于苏州远创达科技有限公司;远创达科技（香港）有限公司;远创达科技（开曼）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州远创达科技有限公司;远创达科技（香港）有限公司;远创达科技（开曼）有限公司授权不得商用。