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本申请的实施例提供了一种用于制造堆叠器件结构的方法。堆叠沟道结构包括其上具有第一栅极电介质的第一沟道结构、在第一沟道结构上方的隔离结构以及在隔离结构上方的第二沟道结构。第二沟道结构在其上具有第二栅极电介质。方法可以包括形成在第二沟道结构下方...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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